oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yapı oluşur. Bu yeni kristal yapıda delik (boşluk)
sayısı artırılmış olur. 3 valans elektrona sahip atomlara örnek olarak; alüminyum
(Al), Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. Örneğin; saf silisyum içerisine
belli bir oranda bor katılırsa; bor elementinin 3 valans elektronu, silisyumun 3 valans
elektronu ile ortak kovalent bağ oluşturur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak
valans bağı oluşturamaz. Bu durumda 1 elektron noksanlığı meydana gelir. Buna
“boşluk” veya “delik=hole” denir.
Silisyuma eklenen katkı miktarı ile boşlukların sayısı kontrol edilebilir. Bu yöntemle
elde edilen yeni malzemeye P tipi yarıiletken malzeme denir. Çünkü boşluklar pozitif
yüklüdür. Çünkü boşluklar pozitif yüklüdür. Dolayısı ile P-tipi malzemede çoğunluk
akım taşıcıları boşluklardır.
Elektronlar ise P tipi malzemede azınlık akım
taşıyıcılarıdır. P-tipi malzemede bir kaç adet serbest elektronda oluşmuştur. Bunlar
ısı ile oluşan boşluk çifti esnasında oluşturulmuştur. Bu serbest elektronlar, silisyuma
yapılan katkı esnasında oluşturulamazlar. Elektronlar P-tipi malzemede azınlık akım
taşıyıcılarıdır.
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder