20 Haziran 2013 Perşembe
Silisyuma karşı Germanyum kullanmak ilk
Silisyuma karşı Germanyum
Germanyum kristallerinin durumu silisyuma benzer. Çünkü atomik yapıları da aynıdır.
Saf germanyum, silisyumdan daha fazla serbest elektrona sahiptir ve daha yüksek
bir iletkenliğe sahiptir.
Bununla birlikte silisyum daha çok kullanılan bir malzeme olup
germanyumdan daha geniş bir alanda kullanılır. Bunun bir sebebi de silisyum
germanyumdan daha yüksek sıcaklıklarda kullanılabilmesidir.
Elektron ve Delik (hole) akımı
Saf silisyumun bir kısmına gerilim uygulandığında neler olduğu şekil-1.8‘de
gösterilmektedir. Şekilde iletkenlik bandındaki serbest elektronların negatif uçtan
pozitif uca doğru gittikleri görülmektedir. Bu; serbest elektronların hareketinin
oluştuğu akımın bir türüdür. Buna elektron akımı denir.
Akımı oluşturan bir diğer tip ise valans devresindeki değişimlerdir. Bu ise; serbest
elektronlar neticesinde boşlukların oluşması ile meydana gelir. Valans bandında
kalan diğer elektronlar ise hala diğer atomlara bağlı olup serbest değillerdir. Kristal
yapı içerisinde rasgele hareket etmezler. Bununla birlikte bir valans elektronu komşu
boşluğa taşınabilir. (enerji seviyesindeki çok küçük bir değişimle). Böylece bir
boşluktan diğerine hareket edebilir.
Sonuç olarak kristal yapı içerisindeki boşluklarda
bir yerden diğer yere hareket edecektir. Bu durum şekil-1-9‘da gösterilmiştir.
Boşlukların bu hareketi de ”akım” diye adlandırılır.
Kaydol:
Kayıt Yorumları (Atom)
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder